Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 9A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 140nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 10V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 45W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: 2-10R1B |
Архив документации | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | 2SJ464(F) | – | – | от 7 дней | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | 2SJ464(F) | – | – | от 7 дней |
|