Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55 Ohm @ 1A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 381pF @ 10V • FET Polarity: P-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 20W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: 2-7J1B |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Поставщики «2SJ610TE16L1NQ» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | 2SJ610(TE16L1,NQ) (yпаковка: TO-252; год: 22+) | Toshiba | – | 45000 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | 2SJ610(TE16L1,NQ) (MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD Подробнее) | Toshiba Semiconductor and Storage | – | 162366 | King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen (86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | 2SJ610(TE16L1NQ) (22+; год: 44270) | TOSHIBA | 252$ | – |
|