Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

2SK1489(Q) — MOSFET N-CH 1000V 12A TO-3PL

Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 6A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 200W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-3P(L) (2-21F1B)
Архив документации

   


Компонентов, подходящих под отмеченные фильтры, не найдено.
В результатах поиска нет компонентов, удовлетворяющих всем отмеченным фильтрам.
Попробуйте расширить область поиска, сняв несколько галочек в фильтрах.