Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

2SK1930(TE24L,Q) — MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 700pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 100W  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: 2-10S2B
Архив документации

   


Компонентов, подходящих под отмеченные фильтры, не найдено.
В результатах поиска нет компонентов, удовлетворяющих всем отмеченным фильтрам.
Попробуйте расширить область поиска, сняв несколько галочек в фильтрах.