Характеристики

2SK2313(F) — MOSFET N-CH 60V 60A 2-16C1B

Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 30A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 170nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 60A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 150W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: 2-16C1B (TO-247 N)
Архив документации

Поставщики «2SK2313(F)»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
2SK2313(F) (yпаковка: TO247; год: 22+)TOSHIBA/–45000
Hightech Semiconductor Co Ltd, Shenzhen
(86) 755-83699930, sales2@icgogogo.com
2SK2313(F) (yпаковка: TO247; год: 2929)TOSHIBA–1708
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
2SK2313(F) (22+; год: 3929)TOSHIBA247$–
ООО "Промэлектро-1", Челябинск
(351) 215-03-75, promelektro1@mail.ru
2SK2313(F), N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [2-16C1B / TO-3P] (шт 5-7дней 345; год: по запросу)––25
Дельта Электроника, Москва
(495) 660-36-02, Факс: (495) 660-36-02, popov@radel.ru
2SK2313(F), Транзистор, N-канал, высокоскоростной, импульсные регуляторы напряжения [2-16C1B / TO-3P]–855 р.79
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
2SK2313(F)––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
2SK2313(F)––от 7 дней