Характеристики

2SK2376(Q) — MOSFET N-CH 60V 45A 2-10S1B

Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 45A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3350pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 100W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: 2-10S1B
Архив документации

Поставщики «2SK2376(Q)»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "ФОНД", Москва
(499) 9641000, info@fond-ek.ru
Диоды 1.5он36а огранич.напряж. 36а 08 (актуальную цену уточняйте)––100
Диоды 1.5он27а огранич.напряж. 27а 05 (актуальную цену уточняйте)––98
Диоды 1.5он86а огранич.напряж. 86а 08 (актуальную цену уточняйте)––20
Диоды 1.5он36а огранич.напряж. 36а 07 (актуальную цену уточняйте)––40
Диоды 1.5он15а огранич.напряж. 15а 08 (актуальную цену уточняйте)––1400
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
2SK2376(Q) (yпаковка: TO-220F; год: 22+)Toshiba–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
2SK2376(Q) (MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL Подробнее)Toshiba Semiconductor and Storage–162078
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
2SK2376(Q)––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
2SK2376(Q)––от 7 дней