Характеристики
2SK2615(TE12L)
— MOSFET N-CH 60V 2A PW-MINI
Дискретные полупроводники
»
MOSFET транзисторы (одиночные)
Производитель: Toshiba
•
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V
•
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
•
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
•
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A
•
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 10V
•
FET Polarity: N-Channel
•
FET Feature: Logic Level Gate
•
Power - Max: 500mW
•
Mounting Type: Surface Mount
•
Package / Case: PW-MINI
Архив документации
2854.pdf
на сайте toshiba.com
Поставщики «2SK2615(TE12L)»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
ИП Хайруллина
Транзистор полевой 2SK2615(TE12L,F) TOSHIBA
(1 неделя; yпаковка: 1280)
–
м. опт: 17.2 р.
17000
ООО "Промэлектро-1"
полевой 2SK2615(TE12L,F)
(6-8 дней 595; год: по запросу)
–
–
16990
ООО "АСПЕКТ"
2SK2615(TE12L)
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
2SK2615(TE12L)--
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
2SK2615(TE12L)ZASOT-89
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
2SK2615(TE12L)
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
2SK2615(TE12L)--
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
2SK2615(TE12L)ZASOT-89
–
–
от 7 дней
Icseek Global Limited
2SK2615(TE12L.F)
(Оригинальный и наличный и новый)
TOS
–
9853
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
2SK2615TE12L
(yпаковка: SOT-89; год: 22+)
TOSHIBA/
–
55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
2SK2615(TE12L,F)
(yпаковка: SOT89; год: 22+)
TOSHIBA/
–
55000
Hightech Semiconductor Co Ltd
2SK2615(TE12LF)
(yпаковка: SOT89; год: 1666)
TOSHIBA
–
14
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
2SK2615(TE12LF)
(22+; год: 2666)
TOSHIBA
89$
–
Acme Chip Technology Co.,Limited
2SK2615(TE12L
(-; год: 21+)
TOSHIBA
м. опт: 0.9877 р.
3311
ООО "ЕК-Компонент"
2SK2615TE12L
TOSHIBA
–
897
ООО "ЕК-Компонент"
2SK2615TE12L,F
TOSHIBA
–
3624