Характеристики

2SK2615(TE12L) — MOSFET N-CH 60V 2A PW-MINI

Производитель: Toshiba  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 60V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 2A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 150pF @ 10V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Logic Level Gate  •  Power - Max: 500mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: PW-MINI
Архив документации

Поставщики «2SK2615(TE12L)»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ИП ХайруллинаСвежие данные!Транзистор полевой 2SK2615(TE12L,F) TOSHIBA (1 неделя; yпаковка: 1280)м. опт: 17.2 р.17000
ООО "Промэлектро-1"Свежие данные!полевой 2SK2615(TE12L,F) (6-8 дней 595; год: по запросу)16990
ООО "АСПЕКТ"2SK2615(TE12L)от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"2SK2615(TE12L)--от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"2SK2615(TE12L)ZASOT-89от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"2SK2615(TE12L)от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"2SK2615(TE12L)--от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"2SK2615(TE12L)ZASOT-89от 7 дней
Icseek Global Limited2SK2615(TE12L.F) (Оригинальный и наличный и новый)TOS9853
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!2SK2615TE12L (yпаковка: SOT-89; год: 22+)TOSHIBA/55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!2SK2615(TE12L,F) (yпаковка: SOT89; год: 22+)TOSHIBA/55000
Hightech Semiconductor Co LtdСвежие данные!2SK2615(TE12LF) (yпаковка: SOT89; год: 1666)TOSHIBA14
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.2SK2615(TE12LF) (22+; год: 2666)TOSHIBA89$
Acme Chip Technology Co.,LimitedСвежие данные!2SK2615(TE12L (-; год: 21+)TOSHIBAм. опт: 0.9877 р.3311
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!2SK2615TE12LTOSHIBA897
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!2SK2615TE12L,FTOSHIBA3624