Характеристики | Производитель: Toshiba • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 15A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 27A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 60W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: TO-220FL |
Архив документации | |
Поставщики «2SK2789(TE24L)» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "ЕК-Компонент", Москва (495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru | | 2SK2789TE24L | VBsemi | – | 1086 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | 2SK2789(TE24L) | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | 2SK2789(TE24L) | – | – | от 7 дней |
|