Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 10A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2040pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 100W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: 2-10S1B |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | 2SK2889(Q) | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | ![Золотой партнер!](/static/search/flag_gold.gif) | 2SK2889(Q) | – | – | от 7 дней |
|