Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 18A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3720pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 90W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: 2-16F1B |
Архив документации | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | 2SK2917(F) | – | – | от 7 дней | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | 2SK2917(F) | – | – | от 7 дней | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | 2SK2917(F) (MOSFET N-CH 500V 18A TO3PIS Подробнее) | Toshiba Semiconductor and Storage | – | 161334 | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | | 2SK2917(F) (yпаковка: TO-3PN(F); год: 22+) | Toshiba | – | 45000 |
|