Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 25A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 50A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11000pF @ 10V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 250W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: TO-3P(L) (2-21F1B) |
Архив документации | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | | 2SK3132(Q) (yпаковка: TO-264; год: 22+) | Toshiba | – | 45000 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | 2SK3132(Q) (MOSFET N-CH 500V 50A TO3P Подробнее) | Toshiba Semiconductor and Storage | – | 161340 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | 2SK3132(Q) | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | 2SK3132(Q) | – | – | от 7 дней |
|