Характеристики

2SK3565(Q,M) — MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

Производитель: Toshiba  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 900V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 5A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 45W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: 2-10U1B  •  Встречается под наим.: 2SK3565(Q), 2SK3565(Q)-ND, 2SK3565Q, 2SK3565Q-ND, 2SK3565QM
Архив документации

Поставщики «2SK3565(Q,M)»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
2SK3565(Q,M) (yпаковка: TO-220F; год: 22+)Toshiba–45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
2SK3565(Q,M) (MOSFET N-CH 900V 5A TO220SIS Подробнее)Toshiba Semiconductor and Storage–161352
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
2SK3565(Q,M)––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
2SK3565(Q,M)––от 7 дней