Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 40W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: 2-10U1B • Встречается под наим.: 2SK3568(Q), 2SK3568Q, 2SK3568Q-ND |
Архив документации | |
Поставщики «2SK3568(Q,M)» | |
|