Характеристики | Производитель: Toshiba • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 6.5A, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 13A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 50W • Mounting Type: Through Hole • Package / Case: 2-10U1B |
Архив документации | |
Поставщики «2SK3797(Q,M)» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | mos.electrod, россия (+7) 909, mos.electrod@yandex.ru | | КЕ021 3исп. крас. (год: 88г.) | – | опт: 77 р. | 60 | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | 2SK3797(Q,M) | – | – | от 7 дней | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | 2SK3797(Q,M) | – | – | от 7 дней |
|