Характеристики

APT1003RKFLLG — MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS 7®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 4A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 694pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 139W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-220
Архив документации

Поставщики «APT1003RKFLLG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
APT1003RKFLLG (yпаковка: TO220; год: 22+)APT45000