Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Microsemi-PPG • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: POWER MOS V® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 75A • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6120pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Standard • Power - Max: 370W • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: D³Pak (2 leads + tab) |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Поставщики «APT10M19SVRG» | |
|