Характеристики

APT14M100B — MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS 8™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 7A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 14A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3965pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 500W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247  •  Встречается под наим.: APT14M100BMP
Архив документации

Поставщики «APT14M100B»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APT14M100B (Подробнее)Microchip Technology7.788$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net
APT14M100B (Оригинальный и наличный и новый)APT9853
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
APT14M100B (yпаковка: TO247; год: 22+)APT45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APT14M100B (MOSFET N-CH 1000V 14A TO247 Подробнее)Microchip Technology155534
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APT14M100Bот 7 дней
APT14M100B_09от 7 дней
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APT14M100Bот 7 дней
APT14M100B_09от 7 дней