Характеристики

APT20M19JVR — MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS V®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 200V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 495nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 112A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11640pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 500W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227
Архив документации

Поставщики «APT20M19JVR»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APT20M19JVR (Подробнее)Microsemi35000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APT20M19JVR (MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP Подробнее)Microsemi Corporation160770
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APT20M19JVRот 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APT20M19JVRот 7 дней