Характеристики

APT39M60J — MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS 8™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 28A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 600V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 280nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 39A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 11300pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 480W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SOT-227
Архив документации

Поставщики «APT39M60J»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APT39M60J (Подробнее)Microchip Technology30.0615$35000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
APT39M60J (yпаковка: SOT-227; год: 22+)Microsemi55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APT39M60J (MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP Подробнее)Microchip Technology156043
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APT39M60Jот 7 дней
APT39M60J_09от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APT39M60Jот 7 дней
APT39M60J_09от 7 дней