Характеристики

APT50M80B2VRG — MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS V®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 29A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 500V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 423nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 58A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 8797pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 625W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: T-MAX
Архив документации

Поставщики «APT50M80B2VRG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APT50M80B2VRG (Подробнее)Microsemi35000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APT50M80B2VRG (MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX Подробнее)Microsemi Corporation160794
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
APT50M80B2VRG (MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX Подробнее)Microsemi Power Products Group