Характеристики

APT8075BVRG — MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS V®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 800V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 195nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 12A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3120pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 260W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247
Архив документации

Поставщики «APT8075BVRG»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
APT8075BVRG (yпаковка: TO247; год: 22+)APT45000
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
APT8075BVRG (год: 1932+)APT352
Hightech Semiconductor Co Ltd, Shenzhen
(86) 755-83699930, sales2@icgogogo.com
APT8075BVRG (yпаковка: TO-247; год: 352)APT1932
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
APT8075BVRG (22+; год: 1352)APT247$
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
APT8075BVRG (MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Подробнее)Microsemi Power Products Group