Характеристики

APT9M100B — MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: POWER MOS 8™  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 9A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 2605pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 335W  •  Mounting Type: Through Hole  •  Package / Case: TO-247
Архив документации

Поставщики «APT9M100B»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd, SHENZHEN
(86) 15220089993, sales@geefook.com
APT9M100B (Подробнее)Microchip Technology4.485$35000
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
APT9M100B (Оригинальный и наличный и новый)APT–9853
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь
(86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com
APT9M100B (yпаковка: TO247; год: 22+)APT–45000
APT9M100B (yпаковка: TO-247; год: 22+)Microsemi–55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
APT9M100B (MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 Подробнее)Microchip Technology–155246
АО "Контест", Москва
(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-73, zakaz@kontest.ru
APT9M100B (MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 Подробнее)Microsemi Power Products Group––
ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург
(812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru
APT9M100B––от 7 дней
APT9M100B_09––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург
(812) 309-89-32, info@aspect.spb.su
APT9M100B––от 7 дней
APT9M100B_09––от 7 дней