Характеристики

APTM120SK68T1G — MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Производитель: Microsemi-PPG  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 260nC @ 10V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 15A  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 6696pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Standard  •  Power - Max: 357W  •  Mounting Type: Chassis Mount  •  Package / Case: SP1 Module
Архив документации

Поставщики «APTM120SK68T1G»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdAPTM120SK68T1G (Подробнее)Microsemi35000
ООО "АСПЕКТ"APTM120SK68T1Gот 7 дней
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!APTM120SK68T1G (MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Подробнее)Microsemi Corporation161761
ООО "Интегральные схемы"APTM120SK68T1Gот 7 дней
АО "Контест"APTM120SK68T1G (MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 Подробнее)Microsemi Power Products Group