Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/on/165.gif) Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Снят с производства - 02 jan 2007 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V • Мощность макcимальная: 625mW • Модуляция частот: 360MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
|