Характеристики | Производитель: Fairchild Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Обратите внимание: Mold Compound Change 12 dec 2007 • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30В • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA • Ток коллектора (макс): 100mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V • Мощность макcимальная: 310mW • Модуляция частот: 150MHz • Тип транзистора: PNP • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |