Характеристики

BCR 112W E6327 — TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Модуляция частот: 140MHz  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-323  •  Встречается под наим.: BCR112WE6327, BCR112WE6327XT, SP000010748
Архив документации

Поставщики «BCR112WE6327»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!BCR112W E6327 (yпаковка: SOT323; год: 22+)Infineon–45000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BCR 112W E6327 (транзистор TRANSISTOR NPN DIGITAL SOT-323 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)–34779
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BCR112WE6327BTSA1 (TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 Подробнее)Infineon Technologies–16582
Icseek Global LimitedBCR112WE6327 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6324
Icseek Global LimitedBCR 112W E6327 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6324
Icseek Global LimitedBCR112W E6327 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON–6324
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDBCR112W E6327 (год: 1147+)Infineon–4430
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!BCR112W E6327Infineon Technologies AG–3066
Hightech Semiconductor Co LtdСвежие данные!BCR112W E6327 (yпаковка: SOT-323; год: 13290)Infineon/–1147
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.BCR112W E6327 (22+; год: 14290)Infineon/323$–
ООО "Интегральные схемы"BCR112WE6327––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"BCR112WE6327––от 7 дней