Характеристики

BCR 146L3 E6327 — TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 47K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 70mA  •  Модуляция частот: 150MHz  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: TSLP-3-4  •  Встречается под наим.: BCR146L3E6327XT, SP000014860
Архив документации

Поставщики «BCR146L3E6327»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
BCR 146L3 E6327 (TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Подробнее)Infineon Technologies16623
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BCR 146L3 E6327 (транзистор TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)34819