Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V • Сопротивление базы (Ом): 47K • Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA • Ток коллектора (макс): 70mA • Модуляция частот: 150MHz • Мощность макcимальная: 250mW • Тип транзистора: NPN - Pre-Biased • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: TSLP-3-4 • Встречается под наим.: BCR146L3E6327XT, SP000014860 |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
Поставщики «BCR146L3E6327» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | BCR 146L3 E6327 (TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 Подробнее) | Infineon Technologies | – | 16623 | ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург (812) 922-25-39, order@an-chip.ru | ![Свежая информация по складу!](/static/search/flag_fresh.gif) | BCR 146L3 E6327 (транзистор TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | Infineon Technologies (IR) | – | 34819 |
|