Характеристики | Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA • Ток коллектора (макс): 800mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V • Мощность макcимальная: 330mW • Модуляция частот: 170MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Поверхностный монтаж • Корпус: SOT-23 • Встречается под наим.: BCW66GE6327XT, SP000010496 |
Архив документации | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | BCW66GE6327 | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | BCW66GE6327 | – | – | от 7 дней | ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург (812) 922-25-39, order@an-chip.ru | | BCW 66G E6327 (транзистор TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | Infineon Technologies (IR) | – | 32224 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong (86) 13512338801, sales8@digi-ic.com | | BCW 66G E6327 (TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23 Подробнее) | Infineon Technologies | – | 9389 | HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited, Шэньчжэнь (86) 18938853596, Факс: (0755) 82569815, info3@tyhchk.com | | BCW66G E6327 (yпаковка: SOT-23; год: 22+) | Infineon | – | 45000 | ООО "ЕК-Компонент", Москва (495) 84951425030, ek-komponent@mail.ru | | BCW66G E6327 | Infineon Technologies AG | – | 3066 | BCW66GE6327 | Infineon Technologies AG | – | 3746 | Icseek Global Limited, Шэньчжэнь (86755) 83000080(10), Факс: (86755) 830080(908), sales5@icseek.net | | BCW66G E6327 (Оригинальный и наличный и новый) | INFINEON | – | 6324 | BCW66GE6327 (Оригинальный и наличный и новый) | INFINEON | – | 6324 |
|