Характеристики

BF1101WR,115 — MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343R

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  •  Частота: 800MHz  •  Номинальное напряжение: 7V  •  Номинал тока: 30mA  •  Коэффициент шума: 1.7dB  •  Ток - тестовый: 12mA  •  Напряжение - тестовое: 5V  •  Корпус: CMPAK-4  •  Встречается под наим.: BF1101WR T/R, BF1101WR T/R-ND
Архив документации

Поставщики «BF1101WR,115»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BF1101WR,115 (MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R Подробнее)NXP USA Inc.–128967
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDBF1101WR,115 (MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R Подробнее)NXP USA Inc.0.0589$105078
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdBF1101WR,115 (Подробнее)NXP Semiconductors–35000
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BF1101WR,115 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–14270
Icseek Global LimitedBF1101WR,115 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
ООО "АСПЕКТ"BF1101WR,115––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"BF1101WR,115––от 7 дней