Характеристики

BF1201WR,115 — MOSFET NCH DUAL GATE 10V SOT343R

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  •  Частота: 400MHz  •  Усиление: 29dB  •  Номинальное напряжение: 10V  •  Номинал тока: 30mA  •  Коэффициент шума: 1dB  •  Ток - тестовый: 15mA  •  Напряжение - тестовое: 5V  •  Корпус: CMPAK-4  •  Встречается под наим.: BF1201WR T/R, BF1201WR T/R-ND
Архив документации

Поставщики «BF1201WR,115»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global LimitedBF1201WR,115 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
Icseek Global LimitedBF1201WR115 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdBF1201WR,115 (Подробнее)NXP Semiconductors0.18$35000
ООО "АСПЕКТ"BF1201WR,115––от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"BF1201WR,115––от 7 дней
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BF1201WR,115 (микросхема интегральная электронная MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–13597
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BF1201WR,115 (MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R Подробнее)NXP USA Inc.–131035