Характеристики | Производитель: STMicroelectronics • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA • Ток коллектора (макс): 500mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V • Мощность макcимальная: 830mW • Модуляция частот: 60MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
Архив документации | |
|