Характеристики | ![Скрыть](/static/search/close.gif) ![](/static/photo/mini/on/165.gif) Производитель: ON Semiconductor • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V • Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA • Ток коллектора (макс): 50mA • Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V • Мощность макcимальная: 830mW • Модуляция частот: 60MHz • Тип транзистора: NPN • Тип монтажа: Through Hole • Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
Архив документации | ![Скрыть](/static/search/close.gif) |
|