Характеристики

BF908WR,115 — MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT343R

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: N-Channel Dual Gate  •  Частота: 200MHz  •  Номинальное напряжение: 12В  •  Номинал тока: 40mA  •  Коэффициент шума: 0.6dB  •  Ток - тестовый: 15mA  •  Напряжение - тестовое: 8V  •  Корпус: CMPAK-4  •  Встречается под наим.: 568-1969-2, BF908WR T/R
Архив документации

Поставщики «BF908WR,115»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "Интегральные схемы"BF908WR,115от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"BF908WR,115от 7 дней
Icseek Global LimitedBF908WR,115 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BF908WR,115 (микросхема интегральная электронная MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors13177
АО "Контест"BF908WR,115 (MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4 Подробнее)NXP Semiconductors
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdBF908WR,115 (Подробнее)NXP Semiconductors35000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BF908WR,115 (MOSFET NCH DUAL GATE 12V CMPAK-4 Подробнее)NXP USA Inc.128781