Характеристики

BG 3123 E6327 — MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)  •  Частота: 800MHz  •  Усиление: 25dB  •  Номинальное напряжение: 8V  •  Номинал тока: 25mA, 20mA  •  Коэффициент шума: 1.8dB  •  Ток - тестовый: 14mA  •  Напряжение - тестовое: 4V  •  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363  •  Встречается под наим.: SP000014846
Архив документации

Поставщики «BG 3123 E6327»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.BG3123E6327 (22+; год: 3900)INFIneon163$
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.BG3123 E6327 (22+; год: 14297)INFINEON363$
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!BG3123 E6327Infineon Technologies AG1396
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!BG3123E6327 (yпаковка: SOT-363; год: 22+)Infineon55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!BG3123 E6327 (yпаковка: SOT363; год: 22+)Infineon45000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BG3123E6327HTSA1 (MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 Подробнее)Infineon Technologies128899
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITEDBG3123E6327 (год: 0426+)INFIneon2900
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BG 3123 E6327 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)Infineon Technologies (IR)14907
XПро-активСвежие данные!BG3123E6327INFINEONДа
ИП СоловьевBG3123E6327INFINEONДа
ООО "Интегральные схемы"BG 3123 E6327от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"BG 3123 E6327от 7 дней
Icseek Global LimitedBG3123 E6327 (Оригинальный и наличный и новый)INFINEON6324
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!BG3123E6327Infineon Technologies AG2966