Характеристики
BG 3123 E6327
— MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Infineon Technologies
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)
•
Частота: 800MHz
•
Усиление: 25dB
•
Номинальное напряжение: 8V
•
Номинал тока: 25mA, 20mA
•
Коэффициент шума: 1.8dB
•
Ток - тестовый: 14mA
•
Напряжение - тестовое: 4V
•
Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
•
Встречается под наим.: SP000014846
Архив документации
bg3123_bg3123r.pdf
на сайте infineon.com
Поставщики «BG 3123 E6327»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
BG3123E6327
(22+; год: 3900)
INFIneon
163$
–
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
BG3123 E6327
(22+; год: 14297)
INFINEON
363$
–
ООО "ЕК-Компонент"
BG3123 E6327
Infineon Technologies AG
–
1396
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
BG3123E6327
(yпаковка: SOT-363; год: 22+)
Infineon
–
55000
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
BG3123 E6327
(yпаковка: SOT363; год: 22+)
Infineon
–
45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
BG3123E6327HTSA1
(MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
128899
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
BG3123E6327
(год: 0426+)
INFIneon
–
2900
ООО "АН-ЧИП"
BG 3123 E6327
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Infineon Technologies (IR)
–
14907
XПро-актив
BG3123E6327
INFINEON
–
Да
ИП Соловьев
BG3123E6327
INFINEON
–
Да
ООО "Интегральные схемы"
BG 3123 E6327
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
BG 3123 E6327
–
–
от 7 дней
Icseek Global Limited
BG3123 E6327
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
6324
ООО "ЕК-Компонент"
BG3123E6327
Infineon Technologies AG
–
2966