Характеристики
BG 3430R E6327
— MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: Infineon Technologies
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual)
•
Частота: 800MHz
•
Усиление: 25dB
•
Номинальное напряжение: 8V
•
Номинал тока: 25mA
•
Коэффициент шума: 1.3dB
•
Ток - тестовый: 14mA
•
Напряжение - тестовое: 5V
•
Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
•
Встречается под наим.: SP000240529
Архив документации
bg3430r.pdf
на сайте infineon.com
Поставщики «BG 3430R E6327»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Hightech Semiconductor Co Ltd
BG3430R E6327
(yпаковка: 15000; год: SOT363)
INFINEON
–
11
ООО "МК"
BGXE6327имп. Диодная сборка
(bg 3430r e6327 - >для заказа или запроса нажмите на>
Подробнее
)
–
–
1600
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED
BG3430R E6327
(год: 0945+)
INFINEON
–
3992
Icseek Global Limited
BG3430RE6327HTSA1
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
6324
Icseek Global Limited
BG3430R E6327
(Оригинальный и наличный и новый)
INFINEON
–
6324
ООО "ЕК-Компонент"
BG3430R E6327
Infineon Technologies AG
–
9966
ООО "АН-ЧИП"
BG 3430R E6327
(микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
Infineon Technologies (IR)
–
14908
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
BG3430R E6327
(yпаковка: 0945; год: 22+)
Infineon
–
45000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
BG3430RE6327HTSA1
(MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
Подробнее
)
Infineon Technologies
–
131652
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd.
BG3430R E6327
(22+; год: 4992)
INFINEON
363$
–
ООО "АСПЕКТ"
BG 3430R E6327
–
–
от 7 дней
ООО "Интегральные схемы"
BG 3430R E6327
–
–
от 7 дней