| Характеристики |   Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Тип транзистора: LDMOS • Частота: 1.03GHz • Усиление: 13dB • Номинальное напряжение: 75V • Номинал тока: 1µA • Ток - тестовый: 150mA • Напряжение - тестовое: 36V • P1dB: 200Вт • Корпус: 2-LDMOST, SOT502B • Встречается под наим.: BLA1011S-200, BLA1011S-200-ND |
| Архив документации | |
Поставщики «BLA1011S-200,112» | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад | | BETTLINK ELECTRONIC LIMITED | BLA1011S-200,112 (RF TRANSISTOR Подробнее) | Rochester Electronics, LLC | 344.349$ | 55 | | BETTLINK ELECTRONIC LIMITED | BLA1011S-200,112 (RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B Подробнее) | Ampleon USA Inc. | 344.349$ | 55 | | Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd | BLA1011S-200,112 (Подробнее) | NXP Semiconductors | 353.14$ | 48 | | Icseek Global Limited | BLA1011S-200,112 (Оригинальный и наличный и новый) | NXP | – | 6324 | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic | BLA1011S-200,112 (RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B Подробнее) | Ampleon USA Inc. | – | 130059 | | ООО "АН-ЧИП" | BLA1011S-200,112 (микросхема интегральная электронная TRANS LDMOS NCH 75V SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | NXP Semiconductors | – | 13489 | | ООО "АСПЕКТ" | BLA1011S-200,112 | – | – | от 7 дней | | ООО "Интегральные схемы" | BLA1011S-200,112 | – | – | от 7 дней | | Icseek Global Limited | BLA1011S-200112 (Оригинальный и наличный и новый) | NXP | – | 6324 |
|