Характеристики | Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Тип транзистора: LDMOS • Частота: 894MHz • Усиление: 19.7dB • Номинальное напряжение: 65V • Номинал тока: 15A • Ток - тестовый: 900mA • Напряжение - тестовое: 28V • P1dB: 160W • Корпус: 2-LDMOST, SOT502A • Встречается под наим.: BLF4G10-160, BLF4G10-160-ND |
Архив документации | |
Поставщики «BLF4G10-160,112» | |
|