Характеристики

BLF4G10LS-160,112 — BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 894.2MHz  •  Усиление: 19.7dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 15A  •  Ток - тестовый: 900mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 160W  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: 568-2392, BLF4G10LS-160, BLF4G10LS-160-ND
Архив документации

Поставщики «BLF4G10LS-160,112»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF4G10LS-160,112 (BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–14319
ООО "Интегральные схемы"BLF4G10LS-160,112––от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"BLF4G10LS-160,112––от 7 дней
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdBLF4G10LS-160,112 (Подробнее)NXP Semiconductors–35000
Icseek Global LimitedBLF4G10LS-160,112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF4G10LS-160,112 (FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B Подробнее)NXP USA Inc.–128631