Характеристики | Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Тип транзистора: LDMOS • Частота: 1.93GHz • Усиление: 14.6dB • Номинальное напряжение: 65V • Номинал тока: 15A • Ток - тестовый: 900mA • Напряжение - тестовое: 28V • P1dB: 130Вт • Корпус: 2-LDMOST, SOT502B • Встречается под наим.: 568-2414, BLF4G20LS-130, BLF4G20LS-130-ND |
Архив документации | |
Поставщики «BLF4G20LS-130112» | |
|