Характеристики

BLF6G10LS-135R,112 — IC BASESTATION FINAL SOT502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 871.5MHz  •  Усиление: 21dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 32A  •  Ток - тестовый: 950mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 26.5W  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: 934061247112, BLF6G10LS-135R, BLF6G10LS-135R-ND
Архив документации

Поставщики «BLF6G10LS-135R112»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G10LS-135R,112 (RF TRANSISTOR Подробнее)NXP USA Inc.–128320
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdBLF6G10LS-135R,112 (Подробнее)NXP Semiconductors87.91$24
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF6G10LS-135R,112 (микросхема интегральная электронная IC BASESTATION FINAL SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–13755
Icseek Global LimitedBLF6G10LS-135R,112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
Icseek Global LimitedBLF6G10LS-135R112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324