Характеристики

BLF6G10LS-135RN:11 — TRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 871.5MHz  •  Усиление: 21dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 32A  •  Ток - тестовый: 950mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 26.5W  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Архив документации

Поставщики «BLF6G10LS-135RN11»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G10LS-135RN:11 (RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.–129081
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G10LS-135RN,11 (RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.–131595
Icseek Global LimitedBLF6G10LS-135RN:11 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
Icseek Global LimitedBLF6G10LS-135RN112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
Icseek Global LimitedBLF6G10LS-135RN,11 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF6G10LS-135RN:11 (микросхема интегральная электронная TRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–13477
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF6G10LS-135RN,11 (транзистор TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–13476
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdBLF6G10LS-135RN112 (Подробнее)NXP Semiconductors70.31$92
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G10LS-135RN112 (POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 ( Подробнее)NXP USA Inc.–185232