Характеристики
BLF6G10LS-160RN,11
— TRANS LDMOS POWER 160W SOT-502B
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: NXP Semiconductors
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: LDMOS
•
Частота: 922.5MHz
•
Усиление: 22.5dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 39A
•
Ток - тестовый: 1.2A
•
Напряжение - тестовое: 32V
•
P1dB: 32Вт
•
Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Архив документации
BLF6G10-160RN_10LS-160RN.pdf
на сайте nxp.com
Поставщики «BLF6G10LS-160RN11»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED
BLF6G10LS-160RN,11
(RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
Подробнее
)
Ampleon USA Inc.
221.5087$
419
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
BLF6G10LS-160RN112
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
81.82$
20
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
BLF6G10LS-160RN112
(RF POWER TRANSISTORS
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
180581
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
BLF6G10LS-160RN,11
(RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
Подробнее
)
Ampleon USA Inc.
–
129828
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
BLF6G10LS-160RN:11
(RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
Подробнее
)
Ampleon USA Inc.
–
131648
ООО "АН-ЧИП"
BLF6G10LS-160RN:11
(транзистор TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
NXP Semiconductors
–
13729
ООО "АН-ЧИП"
BLF6G10LS-160RN,11
(микросхема интегральная электронная TRANS LDMOS POWER 160W SOT-502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
NXP Semiconductors
–
13230
Icseek Global Limited
BLF6G10LS-160RN112
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
6324
Icseek Global Limited
BLF6G10LS-160RN,11
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
6324
Icseek Global Limited
BLF6G10LS-160RN:11
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
6324