Характеристики

BLF6G10LS-160RN,11 — TRANS LDMOS POWER 160W SOT-502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 922.5MHz  •  Усиление: 22.5dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 39A  •  Ток - тестовый: 1.2A  •  Напряжение - тестовое: 32V  •  P1dB: 32Вт  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Архив документации

Поставщики «BLF6G10LS-160RN11»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITEDBLF6G10LS-160RN,11 (RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.221.5087$419
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdBLF6G10LS-160RN112 (Подробнее)NXP Semiconductors81.82$20
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G10LS-160RN112 (RF POWER TRANSISTORS Подробнее)NXP USA Inc.180581
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G10LS-160RN,11 (RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.129828
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G10LS-160RN:11 (RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.131648
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF6G10LS-160RN:11 (транзистор TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors13729
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF6G10LS-160RN,11 (микросхема интегральная электронная TRANS LDMOS POWER 160W SOT-502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors13230
Icseek Global LimitedBLF6G10LS-160RN112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324
Icseek Global LimitedBLF6G10LS-160RN,11 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324
Icseek Global LimitedBLF6G10LS-160RN:11 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324