Характеристики

BLF6G20LS-110,118 — IC BASESTATION FINAL SOT502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 1.93GHz  •  Усиление: 19dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 29A  •  Ток - тестовый: 900mA  •  Напряжение - тестовое: 28V  •  P1dB: 25Вт  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B  •  Встречается под наим.: BLF6G20LS-110 /T3, BLF6G20LS-110 /T3-ND
Архив документации

Поставщики «BLF6G20LS-110118»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
BETTLINK ELECTRONIC LIMITED, HongKong
(852) 8191 1802, info@bettlink.com
BLF6G20LS-110,118 (RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.237.0621$519
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
BLF6G20LS-110,118 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
BLF6G20LS-110,118 (RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.–131218
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BLF6G20LS-110,118 (микросхема интегральная электронная IC BASESTATION FINAL SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–13221