Характеристики

BLF6G22LS-180RN:11 — TRANS LDMOS POWER 180W SOT-502B

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 2.11GHz  •  Усиление: 16dB  •  Номинальное напряжение: 65V  •  Номинал тока: 49A  •  Ток - тестовый: 1.4A  •  Напряжение - тестовое: 30В  •  P1dB: 40Вт  •  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Архив документации

Поставщики «BLF6G22LS-180RN:11»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G22LS-180RN112 (RF POWER TRANSISTORS Подробнее)NXP USA Inc.180083
Geefook (shenzhen) Electronic Co., LtdBLF6G22LS-180RN112 (Подробнее)NXP Semiconductors72.38$60
Icseek Global LimitedBLF6G22LS-180RN112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324
ООО "ЕК-Компонент"Свежие данные!BLF6G22LS-180RN,11NXP Semiconductors368
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology LimitedСвежие данные!BLF6G22LS-180RN,11 (yпаковка: SOT502B; год: 22+)NXP/55000
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G22LS-180RN:11 (RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.128216
Digi-ic_SMART PIONEER ElectronicСвежие данные!BLF6G22LS-180RN,11 (RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Подробнее)Ampleon USA Inc.128508
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF6G22LS-180RN,11 (транзистор TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors13235
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BLF6G22LS-180RN:11 (микросхема интегральная электронная TRANS LDMOS POWER 180W SOT-502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors13742
ООО "Интегральные схемы"BLF6G22LS-180RN:11от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"BLF6G22LS-180RN:11от 7 дней
Icseek Global LimitedBLF6G22LS-180RN,11 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324
Icseek Global LimitedBLF6G22LS-180RN:11 (Оригинальный и наличный и новый)NXP6324