Характеристики
BLF6G22LS-180RN:11
— TRANS LDMOS POWER 180W SOT-502B
Дискретные полупроводники
»
Высокочастотные полевые канальные транзисторы
Производитель: NXP Semiconductors
•
Вредные вещества:
RoHS
Без свинца
•
Тип транзистора: LDMOS
•
Частота: 2.11GHz
•
Усиление: 16dB
•
Номинальное напряжение: 65V
•
Номинал тока: 49A
•
Ток - тестовый: 1.4A
•
Напряжение - тестовое: 30В
•
P1dB: 40Вт
•
Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Архив документации
BLF6G22-180RN_22LS-180RN.pdf
на сайте nxp.com
Поставщики «BLF6G22LS-180RN:11»
Все
Отечественные
Зарубежные
Наименование
Производитель
Цена
Склад
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
BLF6G22LS-180RN112
(RF POWER TRANSISTORS
Подробнее
)
NXP USA Inc.
–
180083
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd
BLF6G22LS-180RN112
(
Подробнее
)
NXP Semiconductors
72.38$
60
Icseek Global Limited
BLF6G22LS-180RN112
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
6324
ООО "ЕК-Компонент"
BLF6G22LS-180RN,11
NXP Semiconductors
–
368
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited
BLF6G22LS-180RN,11
(yпаковка: SOT502B; год: 22+)
NXP/
–
55000
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
BLF6G22LS-180RN:11
(RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
Подробнее
)
Ampleon USA Inc.
–
128216
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic
BLF6G22LS-180RN,11
(RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
Подробнее
)
Ampleon USA Inc.
–
128508
ООО "АН-ЧИП"
BLF6G22LS-180RN,11
(транзистор TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
NXP Semiconductors
–
13235
ООО "АН-ЧИП"
BLF6G22LS-180RN:11
(микросхема интегральная электронная TRANS LDMOS POWER 180W SOT-502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)
NXP Semiconductors
–
13742
ООО "Интегральные схемы"
BLF6G22LS-180RN:11
–
–
от 7 дней
ООО "АСПЕКТ"
BLF6G22LS-180RN:11
–
–
от 7 дней
Icseek Global Limited
BLF6G22LS-180RN,11
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
6324
Icseek Global Limited
BLF6G22LS-180RN:11
(Оригинальный и наличный и новый)
NXP
–
6324