| Характеристики |   Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Тип транзистора: LDMOS • Частота: 860MHz • Усиление: 18dB • Номинальное напряжение: 89V • Номинал тока: 1.4µA • Ток - тестовый: 1.4A • Напряжение - тестовое: 40В • P1dB: 300Вт • Корпус: 5-LDMOST • Встречается под наим.: 568-4738, 934061788112, BLF878, BLF878,112-ND, BLF878-ND |
| Архив документации | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic | BLF878,112 (RF PFET, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH F Подробнее) | Ampleon USA Inc. | – | 129540 | | ООО "АН-ЧИП" | BLF878,112 (транзистор TRANSISTOR RF LDMOS SOT979A 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | NXP Semiconductors | – | 13259 | | Icseek Global Limited | BLF878,112 (Оригинальный и наличный и новый) | NXP | – | 6324 | | Icseek Global Limited | BLF878112 (Оригинальный и наличный и новый) | NXP | – | 6324 | | BETTLINK ELECTRONIC LIMITED | BLF878,112 (RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Подробнее) | Rochester Electronics, LLC | 198.171$ | 1310 | | ООО "Интегральные схемы" | BLF878,112 | – | – | от 7 дней | | ООО "АСПЕКТ" | BLF878,112 | – | – | от 7 дней | | Дельта Электроника | BLF878.112 | – | 24998.4 р. | 6-8 недель |
|