Характеристики

BLS6G2731-6G,112 — TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C

Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Тип транзистора: LDMOS  •  Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz  •  Усиление: 15dB  •  Номинальное напряжение: 60V  •  Номинал тока: 3.5A  •  Ток - тестовый: 25mA  •  Напряжение - тестовое: 32V  •  P1dB: 6W  •  Корпус: 3-LDMOST, SOT957C
Архив документации

Поставщики «BLS6G2731-6G112»

НаименованиеПроизводительЦенаСклад
Icseek Global Limited, Шэньчжэнь
(86755) 83000080（10）, Факс: (86755) 830080（908）, sales5@icseek.net
BLS6G2731-6G112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
BLS6G2731-6G,112 (Оригинальный и наличный и новый)NXP–6324
RYX ELECTRONIC LIMITED, Shenzhen
(86) 15920010314, info@ryxic.com
BLS6G2731-6G,112 (yпаковка: NA; год: 21+)AMPLEON–160
ИП Хайруллина,
(+7499) 9645172, semenov1719@mail.ru
BLS 6G 2731-6G.112 транзистор (1 неделя; yпаковка: 1301)––11
Digi-ic_SMART PIONEER Electronic, Hong Kong
(86) 13512338801, sales8@digi-ic.com
BLS6G2731-6G,112 (RF FET LDMOS 60V 15DB SOT975C Подробнее)Ampleon USA Inc.–129409
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED, Changsha
(731) 85241908, Факс: (731) 85241908, claire2022@hkicstock.com
BLS6G2731-6G112 (год: 21+)Ampleon–160
ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург
(812) 922-25-39, order@an-chip.ru
BLS6G2731-6G,112 (микросхема интегральная электронная TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21)NXP Semiconductors–13778
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd., Shenzhen
(86) 18819033453, vladimir@kingyiku.com
BLS6G2731-6G112 (22+; год: 1160)Ampleon––