| Характеристики |   Производитель: NXP Semiconductors • Вредные вещества:  RoHS  Без свинца • Тип транзистора: LDMOS • Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz • Усиление: 11dB • Номинальное напряжение: 60V • Номинал тока: 7.2A • Ток - тестовый: 100mA • Напряжение - тестовое: 32V • P1dB: 130Вт • Корпус: 2-LDMOST, SOT502A • Встречается под наим.: BLS6G3135-120, BLS6G3135-120-ND |
| Архив документации | |
Поставщики «BLS6G3135-120,112» | |
| Наименование | Производитель | Цена | Склад | | ДЕКТЕЛ ЭЛЕКТРОНИКС | BLS6G3135-120,112 (транз: PRF 120W 32V >11dB, 43%, 3100-3500МГц, S-band LDMOS PULSED; yпаковка: 1) | Ampleon | опт: 31950 р. | 5 | Стандарт СИЗ | BLS6G3135-120,112 (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.) | ST | – | Да | | Стандарт СИЗ | MAGX-003135-120L00 (Philips-BLS6G3135-120,112) (Подробную информацию уточняйте у наших менеджеров.) | ST | – | Да | | ООО "Интегральные схемы" | BLS6G3135-120,112 | – | – | от 7 дней | | Icseek Global Limited | BLS6G3135-120,112 (Оригинальный и наличный и новый) | NXP | – | 6324 | | ООО "АСПЕКТ" | BLS6G3135-120,112 | – | – | от 7 дней | | Digi-ic_SMART PIONEER Electronic | BLS6G3135-120,112 (RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A Подробнее) | Ampleon USA Inc. | – | 130150 | | ООО "АН-ЧИП" | BLS6G3135-120,112 (микросхема интегральная электронная TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT502B 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | NXP Semiconductors | – | 13890 |
|