Характеристики | Производитель: Infineon Technologies • Вредные вещества: RoHS Без свинца • Серия: SIPMOS® • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V • Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.67nC @ 10V • Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA • Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 69pF @ 25V • FET Polarity: N-Channel • FET Feature: Logic Level Gate • Power - Max: 360mW • Mounting Type: Surface Mount • Package / Case: SOT-23 • Встречается под наим.: BSS123E7874T, BSS123L7874XT, SP000011167 |
Архив документации | |
Поставщики «BSS123 E7874» | |
Наименование | Производитель | Цена | Склад | ООО "АН-ЧИП", Санкт-Петербург (812) 922-25-39, order@an-chip.ru | | BSS123 E7874 (микросхема интегральная электронная MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21) | Infineon Technologies (IR) | – | 7982 | ООО "Интегральные схемы", Санкт-Петербург (812) 448-53-82, info@ic-ltd.ru | | BSS123 E7874 | – | – | от 7 дней | ООО "АСПЕКТ", Санкт-Петербург (812) 309-89-32, info@aspect.spb.su | | BSS123 E7874 | – | – | от 7 дней |
|