Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Серия: SIPMOS®  •  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V  •  Drain to Source Voltage (Vdss): 100V  •  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.8nC @ 7V  •  Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 170mA  •  Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 68pF @ 25V  •  FET Polarity: N-Channel  •  FET Feature: Depletion Mode  •  Power - Max: 360mW  •  Mounting Type: Surface Mount  •  Package / Case: SOT-23  •  Встречается под наим.: BSS169E6906XT, SP000055416