Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 300V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA  •  Ток коллектора (макс): 200mA  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V  •  Мощность макcимальная: 1.3W  •  Модуляция частот: 15MHz  •  Тип транзистора: PNP  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)  •  Встречается под наим.: BST16 T/R, BST16 T/R-ND